Stress and Strain Engineering at Nanoscale in Semiconductor...

Stress and Strain Engineering at Nanoscale in Semiconductor Devices

Chinmay K. Maiti
5.0 / 0
0 comments
คุณชอบหนังสือเล่มนี้มากแค่ไหน
คุณภาพของไฟล์เป็นอย่างไรบ้าง
ดาวน์โหลดหนังสือเพื่อประเมินคุณภาพของไฟล์
คุณภาพของไฟล์ที่คุณดาวน์โหลดมาเป็นอย่างไรบ้าง
Anticipating a limit to the continuous miniaturization (More-Moore), intense research efforts are being made to co-integrate various functionalities (More-than-Moore) in a single chip. Currently, strain engineering is the main technique used to enhance the performance of advanced semiconductor devices. Written from an engineering applications standpoint, this book encompasses broad areas of semiconductor devices involving the design, simulation, and analysis of Si, heterostructure silicongermanium (SiGe), and III-N compound semiconductor devices. The book provides the background and physical insight needed to understand the new and future developments in the technology CAD (TCAD) design at the nanoscale.
หมวดหมู่:
ปี:
2021
ฉบับพิมพ์ครั้งที่:
1
สำนักพิมพ์:
CRC Press
ภาษา:
english
จำนวนหน้า:
260
ISBN 10:
0367519291
ISBN 13:
9780367519292
ไฟล์:
PDF, 37.69 MB
IPFS:
CID , CID Blake2b
english, 2021
อ่านออนไลน์
กำลังแปลงเป็น อยู่
การแปลงเป็น ล้มเหลว

คำที่ถูกค้นหาบ่อยที่สุด